三星宣布BSPDN技术新突破:2纳米芯片尺寸缩小17%

【环球网科技综合报道】8月23日消息,据韩国经济日报报道,三星电子副总裁兼晶圆代工厂PDK开发团队主管Sungjae Lee于当地时间8月22日,介绍了该公司在半导体技术领域的最新突破——BSPDN(背面供电网络)技术。这项创新技术将使2纳米芯片的尺寸缩小17%,同时实现性能提升8%、功耗降低15%的显著优化。

Sungjae Lee表示,BSPDN技术是一项重要的技术革新,它通过在芯片的背面构建供电网络,有效地减小了芯片的尺寸,并提升了其性能和能效。

他还透露,三星计划从2027年起,将BSPDN技术应用于2纳米工艺的量产中。这意味着,在未来几年内,我们将有望看到更小、更快、更节能的芯片产品问世,为电子设备的性能提升和功耗降低带来全新的可能。