全球首个 IBM宣布造出2nm工艺的半导体芯片
2021年5月6日，IBM宣布了半导体设计和工艺方面的突破：首款采用2纳米技术制造的芯片发布。
IBM的新型2nm芯片技术提升巨大，与当今最先进的7nm节点芯片相比，拥有45％的性能提高，75％的能耗降低。
2nm最新突破基于IBM在半导体创新领域数十年的领导地位之上。该公司的半导体开发工作基于其位于纽约州奥尔巴尼纳米技术园区的研究实验室，IBM科学家在该实验室与多部门合作伙伴密切合作，共同突破逻辑扩展和半导体功能的界限。
IBM的半导体突破还包括曾经的首次实现7nm和5nm工艺技术，单单元DRAM，Dennard缩放定律，化学放大的光致抗蚀剂，铜互连布线，绝缘体上硅技术，多核微处理器，高k栅极电介质，嵌入式DRAM和3D芯片堆叠等等。IBM的第一项商业化产品将于今年晚些时候在基于IBM POWER10的IBM Power Systems中首次亮相。
在IBM宣布其具有里程碑意义的5nm设计之后不到四年的时间，这项最新突破将使2nm芯片能够在指甲大小的芯片上容纳多达500亿个晶体管。 芯片上更多的晶体管意味着处理器设计人员拥有更多选择，可以注入核心级创新来提高AI和云计算等前沿功能，也能获得新的加密途径，让硬件更具安全性。